實(shi)驗名(ming)稱:非導體接(jie)觸式(shi)μLED器件的光電特性研究    

研究方向：交流LED驅(qu)動、半導體器(qi)件      

實驗內(nei)容:

依(yi)據非導體接觸式μLED模型，制備(bei)出相應的器件。其次是針(zhen)對這(zhe)種新型結構(gou)的μLED，研究其在交流信(xin)號驅動下的頻(pin)率(lv)-電(dian)壓、電(dian)流-電(dian)壓，發光強度(du)等(deng)光電(dian)特(te)性。

      GaN基微發光二(er)極(ji)管(μLEDs)在(zai)超高分辨率顯示、微顯示、可見光通(tong)信、固態照(zhao)明(ming)等方面有(you)突出的優勢。傳統(tong)μLED工(gong)作機(ji)制是：施(shi)加正向電壓(ya)時(shi)，空穴(xue)電子分別從p區(qu)n區(qu)注入到多量子阱中輻射復合發光。在(zai)正向偏壓(ya)下，從外部電極(ji)注入連續的電子和空穴(xue)，導致連續的電致發光。

測試目的：

建(jian)立一種非導體接(jie)觸式(shi)μLED模型并揭(jie)示其工作(zuo)機理，為改善(shan)μLED器(qi)件結(jie)構(gou)、優化工作(zuo)模式提供理論指導。

測試設備(bei):

非導體接觸式μLED器(qi)件、信號發生器(qi)、功(gong)率放大器(qi)、光功率計、雪崩光電探測器、示波器

放大器(qi)型號:ATA-1222A寬帶放大器

實驗過程：  

    通過信號發生器產生不同頻率的電壓信號通過功率放大器進行放大輸出，并將其施加在非導體接觸式μLED器件上，采用示波器檢測其電學特性，光功率計、雪崩光電探測器測試其電致發光特性。

測(ce)試結果：

  ;   1.在交流電(dian)場的驅動下，實現了在無外部電(dian)荷注(zhu)入(ru)的情(qing)況(kuang)下“無線”點亮μLED。

    2.提出(chu)了一種與載流子(zi)在交變電場(chang)作用(yong)下周期性振蕩(dang)相關的NEC&NCI模式的工(gong)作模型，并通過(guo)采用(yong)“載流子(zi)泵”實現高光功率密(mi)度，進(jin)一步(bu)實驗驗證了該模型。

    3.簡要討(tao)論了“電(dian)容器(qi)內器(qi)件”的(de)自我保護機制，即該結構(gou)μLED器(qi)件可以在高壓驅動(dong)下正常(chang)工作，防止(zhi)電(dian)擊穿(chuan)。

放大器在該(gai)實驗(yan)中發揮的(de)效(xiao)能:該設(she)備(bei)是本(ben)實驗中的核心設(she)備(bei)，提供驅動信號的調節功能      

選擇該功(gong)率放大(da)器的原因:設(she)備性能高，參(can)數滿足要求（差分輸出(chu)，電壓幅(fu)度較高、頻率范圍(wei)較大）

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