微機電系統（MEMS）電磁電機因具備高功率密度的特點，作為微型驅動具有廣泛的應用前景，尤其是應用于微型航空推進方面。本期Aigtek安泰電子將為(wei)大家分享一(yi)篇國內團隊的研(yan)究成果(guo)，可應用于毫米(mi)級(ji)電磁微(wei)電機的測(ce)試，并為(wei)進一(yi)步(bu)拓展其(qi)未來的發展前景做出貢獻的完整測(ce)試系統(tong)

　　微電機(ji)的模型和實物

　　該(gai)研究團隊已經研制的(de)(de)基于MEMS三維鐵(tie)芯電(dian)磁(ci)線圈的(de)(de)徑(jing)向磁(ci)通永磁(ci)微電(dian)機如(ru)圖1所(suo)示。微電(dian)機由六(liu)槽(cao)定子(zi)和(he)四極(ji)轉子(zi)組成，其中，六(liu)槽(cao)定子(zi)包(bao)含6組嵌硅(gui)線圈和(he)插入的(de)(de)硅(gui)鋼(gang)鐵(tie)芯，每組線圈匝數為(wei)15，線徑(jing)寬(kuan)度(du)為(wei)100μm；四極(ji)轉子(zi)包(bao)含中間的(de)(de)圓鋼(gang)軸和(he)吸附著的(de)(de)4片扇形永磁(ci)體(ti)。嵌硅(gui)線圈采用了MEMS工(gong)藝制造，包(bao)括深度(du)反應離子(zi)刻(ke)蝕、硅(gui)-硅(gui)（Si-Si）直(zhi)接鍵合和(he)穿透硅(gui)通孔技術（TSV）鍍銅。微電(dian)機的(de)(de)尺寸為(wei)22.3mm×19.3mm×1.6mm，是尺寸比較(jiao)小的(de)(de)徑(jing)向磁(ci)通BLDC電(dian)機。

　　圖(tu)1帶有三維鐵(tie)芯螺(luo)線管線圈的徑(jing)向(xiang)磁通(tong)微電機(ji)

　　微電機的(de)測試方案的(de)構(gou)建(jian)

　　微電(dian)機(ji)的(de)測試(shi)不同(tong)于大型電(dian)機(ji)，尤(you)其(qi)是在(zai)實驗室研(yan)制階段，所采用的(de)試(shi)驗方案、監測參數有很大不同(tong)。研(yan)究團隊構建的(de)測試(shi)方案，在(zai)保證微電(dian)機(ji)測試(shi)時(shi)的(de)穩定性(xing)、準確性(xing)的(de)前提下(xia)，進行了(le)靜態測試(shi)、通電(dian)測試(shi)、耐(nai)溫測試(shi)與運(yun)行測試(shi)等(deng)4部(bu)分測試(shi)，用以表(biao)征微電(dian)機(ji)研(yan)制進展，同(tong)時(shi)也反映了(le)此(ci)種(zhong)微電(dian)機(ji)樣機(ji)MEMS加工試(shi)制的(de)成(cheng)功。

　　靜態測(ce)(ce)試是針(zhen)(zhen)對(dui)微(wei)電(dian)機定(ding)子(zi)的測(ce)(ce)試，包括質量(liang)、電(dian)阻、插入鐵芯(xin)前(qian)的電(dian)感(gan)、插入鐵芯(xin)后的電(dian)感(gan)。定(ding)子(zi)的質量(liang)利(li)(li)(li)(li)用(yong)天(tian)平進(jin)行測(ce)(ce)量(liang)；6組嵌硅(gui)線圈(quan)的電(dian)阻利(li)(li)(li)(li)用(yong)四探針(zhen)(zhen)法進(jin)行測(ce)(ce)試；電(dian)感(gan)利(li)(li)(li)(li)用(yong)探針(zhen)(zhen)以(yi)及勝利(li)(li)(li)(li)儀器公(gong)司（VICTOR）VC4091C臺式(shi)數字電(dian)橋(qiao)進(jin)行測(ce)(ce)試，利(li)(li)(li)(li)用(yong)三軸(zhou)位移平臺、探針(zhen)(zhen)臺、樣品臺等搭建組合式(shi)測(ce)(ce)試臺，利(li)(li)(li)(li)用(yong)顯微(wei)系統(tong)觀察探針(zhen)(zhen)的位置，將(jiang)其(qi)壓緊在嵌硅(gui)線圈(quan)的引(yin)腳(jiao)上進(jin)行測(ce)(ce)試。

　　耐溫(wen)(wen)(wen)測(ce)(ce)試是在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)不(bu)轉動時，給線圈(quan)(quan)通(tong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，測(ce)(ce)量電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)表(biao)面(mian)的(de)溫(wen)(wen)(wen)度變化，從而(er)檢驗電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)在(zai)(zai)堵轉時，仍(reng)能(neng)(neng)(neng)保持良好(hao)的(de)散熱性能(neng)(neng)(neng)，能(neng)(neng)(neng)保證不(bu)會燒壞(huai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)。硅(gui)的(de)導(dao)熱性能(neng)(neng)(neng)非常(chang)好(hao)，可以(yi)利用單一測(ce)(ce)溫(wen)(wen)(wen)點(dian)的(de)溫(wen)(wen)(wen)度來(lai)表(biao)示(shi)整個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)表(biao)面(mian)的(de)溫(wen)(wen)(wen)度，因此(ci)直接利用熱電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)偶(ou)對電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)的(de)定子進行測(ce)(ce)溫(wen)(wen)(wen)。對于(yu)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)來(lai)說，不(bu)僅尺寸微(wei)(wei)小，而(er)且測(ce)(ce)溫(wen)(wen)(wen)點(dian)需要(yao)避開(kai)嵌(qian)硅(gui)線圈(quan)(quan)，因此(ci)測(ce)(ce)溫(wen)(wen)(wen)位(wei)置比(bi)較(jiao)有限。選取微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)定子表(biao)面(mian)距(ju)離較(jiao)遠的(de)兩個測(ce)(ce)點(dian)，用導(dao)熱膠將熱電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)偶(ou)黏接在(zai)(zai)測(ce)(ce)溫(wen)(wen)(wen)點(dian)處，搭(da)建的(de)耐溫(wen)(wen)(wen)測(ce)(ce)試系統如圖2所示(shi)，由(you)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)、熱電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)偶(ou)、直流電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源、冰瓶、數據采(cai)集模塊(kuai)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)腦構成。

　　圖2微(wei)電機耐溫測試系統

　　通電(dian)(dian)(dian)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)包括電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)輸出反(fan)電(dian)(dian)(dian)勢(shi)和(he)堵轉(zhuan)(zhuan)試(shi)(shi)(shi)驗。電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)輸出反(fan)電(dian)(dian)(dian)勢(shi)方法(fa)是將伺(si)服(fu)電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)與扭(niu)矩傳感器的(de)另(ling)一端(duan)連(lian)(lian)接，不接驅(qu)動器。將電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)與伺(si)服(fu)電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)相(xiang)連(lian)(lian)并起(qi)動，帶動本電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)旋轉(zhuan)(zhuan)，將其中兩相(xiang)繞組與示波(bo)器相(xiang)連(lian)(lian)，輸出反(fan)電(dian)(dian)(dian)勢(shi)波(bo)形。堵轉(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)矩測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)方法(fa)為將電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)轉(zhuan)(zhuan)子停(ting)在不同角度鎖(suo)緊電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)，對電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)施加額定電(dian)(dian)(dian)壓，電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)停(ting)止的(de)短時間內，測(ce)(ce)量(liang)(liang)電(dian)(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)的(de)扭(niu)矩、電(dian)(dian)(dian)流等數據(ju)作(zuo)為堵轉(zhuan)(zhuan)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)。運行測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)是轉(zhuan)(zhuan)子在定子的(de)磁(ci)場(chang)驅(qu)動下正常轉(zhuan)(zhuan)動的(de)輸出量(liang)(liang)的(de)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)。

　　通電測(ce)試和運行測(ce)試是借助扭(niu)矩傳感器（型號為(wei)UNIPULSEUTMII-0.2Nm，精度(du)為(wei)0.03%FS）來實現的(de)(de)(de)測(ce)試。按照(zhao)設計轉(zhuan)子的(de)(de)(de)軸徑(jing)尺寸，選取(qu)相同(tong)軸徑(jing)的(de)(de)(de)扭(niu)矩傳感器，進而將扭(niu)矩傳感器的(de)(de)(de)軸作為(wei)測(ce)試時(shi)微電機的(de)(de)(de)轉(zhuan)子軸。這(zhe)樣(yang)可以(yi)給(gei)出更(geng)適合的(de)(de)(de)實驗室研(yan)制階(jie)段(duan)的(de)(de)(de)測(ce)試方(fang)案，同(tong)時(shi)可以(yi)減小軸承(cheng)帶來的(de)(de)(de)摩(mo)擦力的(de)(de)(de)影響，測(ce)試的(de)(de)(de)結果更(geng)精確。

　　測試系(xi)統(tong)(tong)的安(an)(an)裝順序如下：將(jiang)永(yong)磁體(ti)直接貼附在扭矩(ju)傳(chuan)感器的驅動軸(zhou)作(zuo)為轉子(zi)(zi)，并安(an)(an)裝于XY位移平臺(tai)上；將(jiang)微(wei)電機定(ding)子(zi)(zi)置(zhi)于轉接板上，由(you)于微(wei)電機定(ding)子(zi)(zi)在加工過(guo)(guo)程(cheng)中(zhong)經過(guo)(guo)了研磨工藝，因此定(ding)子(zi)(zi)表面無(wu)法完成進行引(yin)線鍵合(he)，本測試借助特(te)殊形(xing)狀的引(yin)電蓋，成功(gong)利(li)用銀漿將(jiang)導線從定(ding)子(zi)(zi)上穿過(guo)(guo)引(yin)電蓋引(yin)出，再將(jiang)定(ding)子(zi)(zi)安(an)(an)裝與Z軸(zhou)位移平臺(tai)上；調節(jie)(jie)XY位移平臺(tai)，將(jiang)轉子(zi)(zi)對(dui)準定(ding)子(zi)(zi)內(nei)徑(jing)，調節(jie)(jie)Z軸(zhou)位移平臺(tai)，使得(de)轉子(zi)(zi)、定(ding)子(zi)(zi)完成配合(he)。搭(da)建的整體(ti)測試系(xi)統(tong)(tong)如圖3所示，由(you)測試臺(tai)、驅動器、電腦和直流電源構成。

　　圖3微電機通電測試和運行測試系統

　　微電機的測試(shi)結(jie)果

　　靜(jing)態(tai)測試(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結果反映了(le)本(ben)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)工(gong)藝制(zhi)作(zuo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)精(jing)(jing)良。定子實物測試(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)質量為2.250g，與設計值2.277g的(de)(de)(de)(de)(de)(de)誤(wu)差(cha)僅有1.19%，這得益于(yu)(yu)(yu)(yu)MEMS工(gong)藝制(zhi)作(zuo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高精(jing)(jing)度，轉子的(de)(de)(de)(de)(de)(de)質量取決(jue)于(yu)(yu)(yu)(yu)實際使(shi)用時轉軸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)長短，如果取設計值6mm，則最終微電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)總質量為3.552g。由于(yu)(yu)(yu)(yu)微電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)六相線(xian)圈(quan)是分開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，因(yin)此分別(bie)測試(shi)單個線(xian)圈(quan)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻均(jun)為0.39Ω。在(zai)400Hz的(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸(shu)入(ru)頻率下，鐵(tie)(tie)芯為1mm厚(hou)(hou)時，單個線(xian)圈(quan)平(ping)均(jun)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)值為0.837μH；鐵(tie)(tie)芯為1.2mm厚(hou)(hou)時，單個線(xian)圈(quan)平(ping)均(jun)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)值為1.060μH，這表明本(ben)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)MEMS線(xian)圈(quan)在(zai)加工(gong)時，可(ke)以控制(zhi)在(zai)鍵合前的(de)(de)(de)(de)(de)(de)刻蝕工(gong)藝，實現不同深度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)鐵(tie)(tie)芯槽，從而裝配時插入(ru)不同厚(hou)(hou)度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)鐵(tie)(tie)芯，得到不同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)值，有利于(yu)(yu)(yu)(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)特(te)異化應(ying)用。與現有的(de)(de)(de)(de)(de)(de)小于(yu)(yu)(yu)(yu)100nH量級的(de)(de)(de)(de)(de)(de)MEMS線(xian)圈(quan)相比(bi)，儲存并(bing)轉化電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)和磁能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)力明顯提高，也體現了(le)本(ben)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)相對(dui)于(yu)(yu)(yu)(yu)采用平(ping)面線(xian)圈(quan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)優勢。

　　MEMS相關實驗案例分享：功率放大器在MEMS微結構模態測試研究中的應用

　　通電(dian)(dian)測試(shi)的(de)結(jie)果反(fan)(fan)映了(le)本(ben)電(dian)(dian)機(ji)的(de)研制圓滿成(cheng)功。經過反(fan)(fan)電(dian)(dian)動勢(shi)測試(shi)，得(de)到(dao)(dao)反(fan)(fan)電(dian)(dian)動勢(shi)測試(shi)結(jie)果如圖4所示（伺服電(dian)(dian)機(ji)在3000r/min下(xia)，本(ben)電(dian)(dian)機(ji)的(de)輸出反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)波(bo)形）。本(ben)電(dian)(dian)機(ji)的(de)結(jie)構屬于無刷直流電(dian)(dian)機(ji)，由于永(yong)磁(ci)體的(de)體積非常小，加工(gong)能力(li)有(you)限，因而采用簡單(dan)的(de)平行充磁(ci)和(he)等厚設(she)(she)計(ji)，所以測試(shi)得(de)到(dao)(dao)的(de)微(wei)電(dian)(dian)機(ji)的(de)反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)形狀接近正弦波(bo)。讀取反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)波(bo)形可以得(de)到(dao)(dao)電(dian)(dian)氣周期和(he)反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)幅值(zhi)，進而計(ji)算得(de)到(dao)(dao)轉速和(he)平均反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)，最后(hou)得(de)到(dao)(dao)本(ben)電(dian)(dian)機(ji)的(de)反(fan)(fan)電(dian)(dian)勢(shi)系數為2.89×10-4V·s/rad，與設(she)(she)計(ji)值(zhi)相差極(ji)小，證明(ming)本(ben)電(dian)(dian)機(ji)樣(yang)機(ji)試(shi)制成(cheng)功，無結(jie)構缺陷。

　　圖4MEMS電機輸(shu)出反(fan)電勢測試

　　堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)測(ce)試得到轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)子不(bu)(bu)同角度、不(bu)(bu)同電(dian)流(liu)對應的(de)(de)堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)，堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)測(ce)試結果(guo)僅列出(chu)30°時的(de)(de)結果(guo)（轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)子永磁體與線圈(quan)同極正(zheng)對偏轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)角度為30°）如(ru)圖5（c）所(suo)示，因存在齒槽轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)，電(dian)流(liu)為0時堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)不(bu)(bu)為0。通過對應的(de)(de)輸入電(dian)流(liu)和輸出(chu)的(de)(de)堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)的(de)(de)值進(jin)行計(ji)算(suan)，得到不(bu)(bu)同角度的(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)電(dian)流(liu)比如(ru)圖5（d）所(suo)示。可以得出(chu)，一(yi)個狀(zhuang)態角內的(de)(de)平均堵(du)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)電(dian)流(liu)比為0.267mN·m/A，即測(ce)得的(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)系(xi)(xi)數為2.67×10-4N·m/A，與設計(ji)的(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)矩(ju)(ju)系(xi)(xi)數誤差(cha)在合理范圍內，可知(zhi)本(ben)電(dian)機結構完整(zheng)，功能(neng)良好，基本(ben)符(fu)合設計(ji)方案。

　　圖5MEMS電(dian)機(ji)堵轉測試

　　耐(nai)溫(wen)測(ce)試的結果(guo)反映了(le)本電(dian)(dian)機在(zai)實際使用時，不但可以長時間(jian)運(yun)行，而且在(zai)電(dian)(dian)機出現(xian)故障處于堵轉狀態下，也能不損(sun)壞電(dian)(dian)機。耐(nai)溫(wen)測(ce)試結果(guo)為(wei)：在(zai)0.98A穩(wen)定(ding)電(dian)(dian)流下，CH1測(ce)點(dian)的數(shu)據(ju)較(jiao)為(wei)平滑穩(wen)定(ding)，后續測(ce)試以CH1的數(shu)據(ju)為(wei)準，如圖6（a）所示(shi)。圖6（b）中展示(shi)了(le)不同電(dian)(dian)流下CH1測(ce)點(dian)的電(dian)(dian)機發(fa)熱(re)情況，可知1.452A穩(wen)定(ding)電(dian)(dian)流（繞組(zu)發(fa)熱(re)功(gong)率為(wei)3.29W，電(dian)(dian)機額定(ding)溫(wen)度(du)為(wei)1.5A）下，本電(dian)(dian)機的靜子表面(mian)溫(wen)度(du)能夠穩(wen)定(ding)在(zai)78℃，同時也滿足電(dian)(dian)機結構強度(du)設計(ji)要求(qiu)。

　　圖6MEMS電(dian)機耐溫測(ce)試

　　運行(xing)測試的(de)(de)(de)結(jie)果(guo)反映了本電(dian)機的(de)(de)(de)轉(zhuan)速可以(yi)隨電(dian)流(liu)的(de)(de)(de)增加(jia)達到不同的(de)(de)(de)轉(zhuan)速。運行(xing)測試結(jie)果(guo)為(wei)：在0.3A電(dian)流(liu)下(xia)，電(dian)機的(de)(de)(de)轉(zhuan)速為(wei)150r/min，在0.6A電(dian)流(liu)下(xia)，維(wei)持375r/min轉(zhuan)速的(de)(de)(de)穩定旋轉(zhuan)。電(dian)機轉(zhuan)速性能也(ye)與控制(zhi)器(qi)有關，后續將(jiang)優化(hua)控制(zhi)器(qi)來進一步提升(sheng)電(dian)機的(de)(de)(de)性能。

　　本實驗內(nei)容原文(wen)引自：《航空用三維(wei)線圈(quan)永(yong)磁微(wei)電機性能(neng)測(ce)試》PerformanceTestingofMEMS3DCoilPermanentMagnetMicromotor（黃志平(ping)雷(lei)凱博桑濟昌徐天彤(tong)），侵刪

　　Aigtek長久(jiu)以來，在(zai)微(wei)機電系(xi)(xi)統(tong)（MEMS）系(xi)(xi)統(tong)相關(guan)測(ce)試(shi)研究中(zhong)都投入了(le)很大(da)(da)精力，目前已形成(cheng)了(le)就(jiu)為(wei)完善的測(ce)試(shi)系(xi)(xi)統(tong)，其中(zhong)ATA-3000系(xi)(xi)列功(gong)(gong)率(lv)(lv)放大(da)(da)器作為(wei)一款理(li)想的可(ke)放大(da)(da)交、直流(liu)信號(hao)(hao)(hao)的功(gong)(gong)率(lv)(lv)放大(da)(da)器。其最大(da)(da)輸出(chu)功(gong)(gong)率(lv)(lv)810Wp，可(ke)以驅動功(gong)(gong)率(lv)(lv)型(xing)負載。電壓增益數控(kong)可(ke)調，一鍵保存(cun)常用設(she)置，為(wei)您提供(gong)了(le)方便簡潔的操作選擇(ze)，可(ke)與(yu)主流(liu)的信號(hao)(hao)(hao)發生器配套使用，實現(xian)信號(hao)(hao)(hao)的放大(da)(da)。

　　ATA-3000系列功率放(fang)大器除了在超(chao)聲實驗(yan)、電流測試、揚聲器測試、亥姆霍茲線圈中(zhong)應用，也可應用于本實驗(yan)系統當(dang)中(zhong)，幫助系統放(fang)大信(xin)號(hao)。

　　ATA-3090B功率放大器

　　帶(dai)寬：（-3dB）DC~100kHz

　　電壓：90Vp-p（±45Vp）

　　電流：18Ap

　　功率(lv)：810Wp

　　壓(ya)擺率：≥20V/μs

　　可程控

西(xi)安安泰電子是專業從事功率放(fang)大器、高壓放大器、功率放大器模塊、功率信號源、射頻功率放大器、前置微(wei)小信號放(fang)大器、高精度(du)電壓源(yuan)、高精度電流源等電子測量儀器研發、生產和銷(xiao)售的高科(ke)技企業，為(wei)(wei)用戶提供具有(you)競爭力的測試方案(an)。Aigtek已經成為(wei)(wei)在(zai)業界擁(yong)有(you)廣泛產品線，且具有(you)相當規模(mo)的儀器設備(bei)供應商，樣機都支持免費試用。如想了解(jie)更多功率放大(da)器等產品，請持續關注(zhu)安泰電(dian)子官網hkdyw.cn或撥打029-88865020。