實驗名稱：極(ji)化(hua)后晶體的機(ji)電(dian)性能測試

　　測試設備：高壓放大器、多功能合成器、示波器、LCR測(ce)量儀、計(ji)算機等。

　　圖1：場冷(leng)極化(hua)裝置：（a）金屬Al制容器；（b）金屬冷(leng)卻(que)盤

　　實驗過程：

　　圖1展示(shi)(shi)了直流極(ji)(ji)(ji)化(hua)DCP和交流極(ji)(ji)(ji)化(hua)ACP的(de)(de)系統全貌，包(bao)括的(de)(de)極(ji)(ji)(ji)化(hua)用樣品(pin)夾(jia)具，金(jin)屬(shu)鋁(lv)Al容器，以及(ji)電場冷(leng)卻極(ji)(ji)(ji)化(hua)用的(de)(de)金(jin)屬(shu)冷(leng)卻盤。在場冷(leng)極(ji)(ji)(ji)化(hua)實驗前，需要將具有(you)高熱(re)傳導性的(de)(de)大尺寸冷(leng)卻金(jin)屬(shu)盤，以及(ji)安裝在金(jin)屬(shu)盤的(de)(de)圓洞中(zhong)的(de)(de)金(jin)屬(shu)鋁(lv)Al容器，放(fang)在冰箱中(zhong)預降溫(wen)到(dao)零下20℃，以實現(xian)極(ji)(ji)(ji)化(hua)過程(cheng)中(zhong)從(cong)200到(dao)35℃不超過12min的(de)(de)快速降溫(wen)。整個極(ji)(ji)(ji)化(hua)系統的(de)(de)實驗裝置如圖1（c）所示(shi)(shi)，包(bao)含了高壓放(fang)大器，多功能合成器以及(ji)示(shi)(shi)波器等。

　　圖2：（a）FCDCP和（b）FCACP（C：立方，T：四方，M：單斜晶，R：菱方）

　　電(dian)(dian)場冷(leng)卻直(zhi)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)FC-DCP以(yi)(yi)及(ji)電(dian)(dian)場冷(leng)卻交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)FC-ACP電(dian)(dian)壓(ya)(ya)隨(sui)溫度(du)變(bian)化(hua)(hua)的(de)(de)示意圖在圖2（a）和(he)（b）中分別表示。不同晶體根(gen)據其相(xiang)變(bian)溫度(du)Tpc和(he)居里(li)溫度(du)Tc調節不同的(de)(de)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)降溫區域，通過不同場冷(leng)條件下(xia)進行極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)。為(wei)了比較(jiao)交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)ACP和(he)直(zhi)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)DCP的(de)(de)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，使用了每厘米均方(fang)根(gen)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)（Vrms/cm）來作為(wei)交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)ACP電(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)單(dan)位。“rms”也稱為(wei)交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)的(de)(de)有效值(zhi)(zhi)或熱(re)值(zhi)(zhi)，等效于在電(dian)(dian)阻器中產生相(xiang)同熱(re)能的(de)(de)直(zhi)流(liu)(liu)電(dian)(dian)DC電(dian)(dian)壓(ya)(ya)值(zhi)(zhi)。因此，我們使用了kVrms/cm作為(wei)所有實驗(yan)中交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)ACP的(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)單(dan)位，來準確(que)直(zhi)流(liu)(liu)極(ji)(ji)(ji)化(hua)(hua)DCP比較(jiao)所有的(de)(de)性能。正弦波交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)AC的(de)(de)均方(fang)根(gen)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)Vrms是由交(jiao)(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)AC峰值(zhi)(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)（Vpk）的(de)(de)乘以(yi)(yi)71%計算而得。

　　實驗結果：

　　介(jie)溫(wen)(wen)曲(qu)線以及介(jie)溫(wen)(wen)損耗由計算(suan)機控(kong)制的(de)LCR測量儀在(zai)1kHz下從室溫(wen)(wen)到250℃每0.2℃進行(xing)(xing)測量。不同條件(jian)極(ji)化后(hou)的(de)晶體樣品，由XRD衍射儀在(zai)CuKα單射線下對單晶的(de)(400)pc面進行(xing)(xing)相分析，并(bing)且測量方法與Sun等(deng)人(ren)的(de)報道(dao)一致。

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　　圖：ATA-7030高壓放大器指標參數

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